HBM4內存標準將定稿：堆棧通道數較HBM3 翻倍，初步同意最高6.4Gbps速度
近日，行業標準制定組織JEDEC固態技術協會發布新聞稿，表示HBM4標準即將定稿，在更高的帶寬、更低的功耗、增加裸晶/堆棧性能之外，還進一步提高數據處理速率。在生成式人工智能（AI）、高性能計算、高端顯卡和服務器等領域，這些改進對于需要高效處理大型數據集和復雜計算的應用至關重要。相比較 HBM3，HBM4 的每個堆棧通道數增加了一倍，物理尺寸更大。該機構為了支持設備兼容性，主控可以同時處理 HBM3 和 HBM4。
HBM4將指定24Gb 和32Gb層，并提供4-high、8-high、12-high和16-high TSV堆棧，委員會已初步同意最高6.4Gbps的速度，并正在討論更高的頻率。
紫光集團宣布正式更名為“新紫光集團”
7月11日，紫光集團宣布正式更名為“新紫光集團”，并成立紫光智行、紫光智算、紫光閃芯、新紫光半導體等新公司，分別面向汽車電子、人工智能、存儲、先進工藝等領域。
新紫光集團董事長李濱表示，新紫光集團“新”在新架構、新模式及新技術。新紫光集團聚焦集成電路和數字科技主業，已形成覆蓋芯片設計、生產、封裝、測試、設備、材料和模組的半導體全產業鏈。
新紫光集團布局方向與最新進展包括：
● 新技術開拓：發布四大創新技術方向，包括多元異構高效融合的新型智算集群系統解決方案、高端車規級芯片、6G 與低軌道衛星通信芯片、面向后摩爾時代的半導體技術新賽道
● 產業鏈建設：在北京、成都、廣州、珠海、岳陽、蕪湖等地規劃建設了先進制造基地和先進研發中心項目
● 產業協同：旗下紫光展銳與中興通訊簽署全方位 5G 戰略合作框架協議；旗下新華三聯合地方政府、核心芯片公司及大模型廠商，共同打造“智算產業生態聯盟”；旗下紫光計算機與麒麟軟件簽約“麒心伙伴”合作協議
● 高校合作：攜手北京科技大學共建高水平研發平臺；聯合浙江大學與當地政府共建浙江創芯集成電路有限公司
● 產融結合：攜手股東方智路建廣以及廣州產投、海南財金銀河基金、北方華創、芯原股份、紫光聯盛（立聯信）、招商銀行、華夏銀行、浦發銀行等共同發起“未來科技戰略產業基金”
英國AI芯片企業Graphcore正式被軟銀收購
Graphcore官網顯示，這家AI 芯片企業已被軟銀收購。根據協議，Graphcore將成為軟銀的全資子公司，繼續以現有名稱運營。雙方并未透露具體交易價值。
此前，Graphcore 曾一度被視為“英國版英偉達”。然而自2020 年以來，該企業未獲得新的融資，也丟失了來自微軟的重要訂單，這使其資金緊張、運營困難，未能跟上 AI 芯片領域的大勢。
Graphcore 聯合創始人兼首席執行官 Nigel Toon稱加入軟銀讓公司有了一個合作伙伴，可以幫助Graphcore團隊重新定義 AI 技術的格局。
據外媒 TechCrunch 報道，Nigel Toon 向外界確認，本次收購后 Graphcore 不會進行裁員，并考慮增加在英國的員工人數。
三星智能戒指Galaxy Ring發布：支持睡眠、心率監測
三星在巴黎舉辦Unpacked 2024發布會，除了發布Galaxy Z Fold6、Galaxy Z Flip6兩款折疊屏手機外，三星還發布了首款智能戒指——Galaxy Ring，國行售價3099元。
外觀上，Galaxy Ring與普通戒指類似，共九種尺寸，可選鈦黑、鈦銀、鈦金三款配色，重量最輕2.3克，戴在手上基本無感。
Galaxy Ring內置三個傳感器，可監測睡眠、活動、心率等多個指標，測量數據會被同步至三星健康應用。
其他方面，Galaxy Ring最長續航7天，防水性能達到10ATM，支持IP68級防塵防水。
據了解，購買Galaxy Ring時可免費獲得尺碼測量工具套裝，收到該套裝后的14天內，在 “我的訂單 “頁面選擇尺寸，未選擇尺寸的話，14天后訂單將被取消。如果收到尺碼測量工具套裝后，不想繼續購買Galaxy Ring，三星將為用戶退款，用戶也無需退還工具套裝。
三星電子：計劃在HBM4時代為客戶開發多樣化定制HBM內存
三星電子本周舉行的三星晶圓代工論壇上表示，定制HBM預計在 HBM4時期成為現實。
三星電子存儲部門新事業企劃組組長Choi Jang-seok稱許多客戶正在從傳統的通用HBM轉向定制產品。定制 HBM 將在 PPA（性能Performance、功耗Power和面積Area）方面提供與標準產品不同的選擇，帶來顯著價值。
Choi Jang-seok具體介紹了兩種可能的定制HBM形式：
1、不使用現有 2.5D 封裝方案中必需的中介層 (Interposer) 和基礎裸晶 (Base Die)，直接將 HBM 芯片 3D 集成在計算 SoC 上，可簡化從計算芯片到 HBM 的數據路徑，降低芯片功耗和占地面積，這類似于之前展示過的 SAINT-D。而現有 HBM 內存封裝集成形式，數據流需通過中介層；
2、將內存的 I/O 接口和控制器轉移到 HBM 內存的 Base Die 上，為計算芯片留出更多用于邏輯電路的空間。
Choi Jang-seok還提到三星電子正在開發單堆棧達48GB的大容量HBM4內存，預計明年投產。
