2024 年 7 月 18 日，中國上海 — 美光近日宣布，已出樣多路復用雙列直插式內存模塊（MRDIMM）。該款 MRDIMM 將賦能美光客戶應對日益繁重的工作負載，從而最大化計算基礎設施的價值。
對于需要每個 DIMM 插槽內存超過 128GB 的應用，美光 MRDIMM 提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內存密集型虛擬化多租戶、高性能計算和 AI 數據中心工作負載方面，表現優于當前的 TSV RDIMM。該款全新內存產品為美光 MRDIMM 系列的首代，將與英特爾至強 6 處理器兼容。
通過實施 DDR5 的物理和電氣標準，MRDIMM 實現了內存技術的突破，使單核心的帶寬和容量得以擴展，為未來的計算系統提供堅實保障，并能滿足數據中心工作負載日益增長的需求。與 RDIMM 相比，MRDIMM 具有以下優勢：
- 有效內存帶寬提升高達 39%
- 總線效率提升超過 15%
- 與 RDIMM 相比，延遲降低高達 40%
MRDIMM 支持從 32GB 到 256GB 廣泛的容量選擇，涵蓋標準型和高型外形規格（TFF），適用于高性能的 1U 和 2U 服務器。得益于 TFF 模塊優化的散熱設計，在同等功耗和氣流條件下，DRAM 溫度可降低高達 20 攝氏度，為數據中心帶來更高效的散熱，并優化內存密集型工作負載的總系統任務能耗。
美光憑借業界領先的內存設計和制程技術，在 256GB TFF MRDIMM 上采用 32Gb DRAM 芯片，實現了與采用 16Gb 芯片的 128GB TFF MRDIMM 相同的功耗表現。
在最大數據傳輸速率下，256GB TFF MRDIMM 的性能比相同容量的 TSV RDIMM 提升 35%。與 TSV RDIMM 相比，使用 256GB TFF MRDIMM，數據中心可以獲得前所未有的總體擁有成本（TCO）優勢。
美光 MRDIMM 現已開售，并將于 2024 年下半年批量出貨。后續幾代 MRDIMM 產品將繼續提供比同代 RDIMM 高 45% 的單通道內存帶寬。
