為一個新的主存儲技術做好準備吧: ReRam。
NAND閃存在一個小的電子云上保存數據。電荷的存在或不存在(或電荷的強度)告訴我們存儲了哪些數據。
ReRam通過改變cell的電阻來存儲數據。目前有各種各樣ReRam技術正在開發之中，包括相變內存(PCM)和惠普Memristor技術。
隨著更多細節的透露，我們期待這個行業將形成良性競爭態勢。
優點
雖然有不同的規格,但是所有ReRAM都具有當前NAND閃存擁有的主要優點：
• 速度 ReRAM寫速度更快——以納秒為單位而不是毫秒——使它更好適應于高性能應用。
• 耐用性 最常見的MLC閃存只能處理10000次寫操作，而ReRAM卻可以處理數百萬個。
• 功率 研究人員已經證明微安培寫入功率并期望很快將進一步降低到納安范圍，這使得ReRAM比NAND閃存能效更高。
在可預見的未來，NAND閃存將保留在成本和密度上的優勢,這意味著它仍將在未來幾十年存活下去。那么ReRAM在存儲層中的定位是?
• 數據完整性 丟失一個快照是沒有什么大不了的。丟失你的支票帳戶存款就不一樣了。關鍵任務應用更喜歡ReRAM，而且關鍵是買得起。
• 性能 固態盤這種高速存儲介質消除了復雜性并提高了性能。
• 移動性 網絡寬帶和內存容量之間進行著一場永無止境的拉鋸戰，在這種情況下，消費者可能會喜歡上他們移動設備的大容量存儲。如果是這樣, ReRAM節能的優點將在高端產品有所體現。
東芝憑借其類似于今天1.5萬轉硬盤的固態硬盤，開始涉足這些高端市場。這可能不是一個巨大的市場，但是其高利潤率還是值得一試的。
其他廠商，包括松下、美光和三星，也正在致力于ReRAM的研發。另外一個有趣的問題是：在系統中ReRAM多大程度上能替代高速DRAM?
