SugonRI2.0國產工業編程平臺大升級,支持工業信創全速前進!
2023年6月,中科曙光旗下子公司曙光網絡科技有限公司,發布首個國產工業編程平臺——曙睿SugonRI1.0。時隔一年,2024年8月,曙光網絡正式發布了SugonRI2.0版本,定位是工業編程平臺,覆蓋半實物仿真,儀器儀表,控制系統和工業...
2023年6月,中科曙光旗下子公司曙光網絡科技有限公司,發布首個國產工業編程平臺——曙睿SugonRI1.0。時隔一年,2024年8月,曙光網絡正式發布了SugonRI2.0版本,定位是工業編程平臺,覆蓋半實物仿真,儀器儀表,控制系統和工業...
鎧俠推出采用光學接口的新型SSD 圖片來自網絡 鎧俠推出了一款采用光學接口連接的新型SSD,旨在改造新一代數據中心基礎設施,與傳統電氣布線不同,通過整合光學接口來為數據中心設計提供更大的物理靈活性和可擴展性,有助于提高能源效率和信號完整性。...
美國時間,2024年8月5日,美國閃存峰會(FMS)上,美光稱將推出業界首款PCIe 6.0 數據中心SSD,可提供超過26GB/s的順序讀取帶寬,旨在滿足對人工智能的廣泛需求,進一步展現其在存儲技術領域的領先地位。 8月7日,美光計算和網...
阻變存儲器(Resistive Random Access Memory,ReRAM或RRAM)作為新型存儲器之一,是基于非導性材料在外加電場作用下實現高阻態和低阻態之間的可逆轉換。存儲原理是通過改變材料的電阻狀態來存儲數據。 其發展軌跡大...
鐵電存儲器(Ferroelectric Random Access Memory,被稱為FRAM或FeRAM)利用鐵電晶體材料的電壓-電儲流關系具有滯后回路的特點來存儲數據。并且鐵電材料的極化特性使其能夠在沒有電源的情況下保持數據。 其技術...
HBM4內存標準將定稿:堆棧通道數較HBM3 翻倍,初步同意最高6.4Gbps速度 近日,行業標準制定組織JEDEC固態技術協會發布新聞稿,表示HBM4標準即將定稿,在更高的帶寬、更低的功耗、增加裸晶/堆棧性能之外,還進一步提高數據處理速率...
一直對3D NAND要堆多少層有執念,或許和癡迷過疊大樓游戲有關,即便是簡單的疊高樓游戲,也很考驗人的耐心和定力,堆疊更是一門技術活了。事實上,閃存發展史從堆疊角度也可以看到一些變化:從1967年浮柵MOSFET出現到2008年,閃存都是基...
6月25日,曙光存儲召開了主題為“先進存力,凝聚數據要素”的新品暨品牌發布會,震撼發布全球首個億級IOPS集中式全閃存儲FlashNexus,重磅升級分布式存儲ParaStor,同時推出行業首個通存解決方案,應對“強無止境”數據存儲性能和成...
近期,紫光股份旗下新華三集團召開2024媒體與分析師溝通會,以“×AI”(乘AI)為主題,全面擁抱“人工智能+”時代的無限機遇,會上紫光股份董事長、新華三集團總裁兼首席執行官于英濤明確了三大重點——深化“AI in AL...
谷歌?CEO?最新訪談的重點整理 谷歌母公司Alphabet CEO Sundar Pichai近日接受了《The Circuit With Emily Chang》節目訪談。 其觀點和戰略要點整理如下: 1. AI 尚...