次世代存儲器新突破,三星大規模量產28nm工藝EMRAM
三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器,除了MRAM,還有eFlas...
三星宣布已經開始大規模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器,除了MRAM,還有eFlas...