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三星850 EVO開啟3 bit V-NAND SSD全新時代

全球存儲領軍品牌三星電子近日發布了其品牌固態硬盤(SSD)產品的最新成員850 EVO SSD，該產品采用三星尖端3bit 3D垂直閃存(V-NAND)技術，性能與耐用性與先前產品相比有大幅度提升，是主流電腦的理想選擇。以“性能...

三星早在7月初就宣布了新一代高端固態硬盤850 EVO，會采用3D立體堆疊的V-NAND TLC閃存顆粒，但卻一直沒有正式發布，相關資料也是從未公開。感謝幾家坐不住的美國電商，850 EVO慢慢揭開了面紗。嗯，2.5寸固態硬盤都是這副模...

增加層數和單位空間存儲的數據量是三星V-NAND的發展方向，性能明顯優于機械硬盤的前提下，容量上升價格降低是閃存推廣的一大動力。繼2012年韓國推出首款SAS接口企業級固態硬盤SM1625之后，三星宣布將于近期推出下一代SAS固態硬盤SM...

原標題為：《三星：利用3-bit垂直NAND成功縮減編程時間》韓國閃存代工巨頭三星已經在本屆閃存記憶體峰會上宣布，將把3-bit（即TLC）閃存引入其V-NAND產品線。該產品采用TLC NAND 32層設計，作為三層存儲單元、TLC與...

2014年7月1日三星電子在首爾舉辦“2014三星固態硬盤全球峰會”，作為全球領先的存儲品牌三星電子，此次峰會中發布了基于3D V-NAND閃存技術的850PRO固態硬盤（SSD）。全新的三星SSD 850 PRO...