三星成功開發10納米FinFET SRAM 10納米制程量產更近一步
在英特爾(Intel)、臺積電的SRAM仍停留在14納米、16納米制程時,三星電子(Samsung Electronics)已搶先研發出10納米FinFET制程SRAM,這也意味著距離10納米邏輯芯片量產更近一步。 速度較DRAM快的SRA...
在英特爾(Intel)、臺積電的SRAM仍停留在14納米、16納米制程時,三星電子(Samsung Electronics)已搶先研發出10納米FinFET制程SRAM,這也意味著距離10納米邏輯芯片量產更近一步。 速度較DRAM快的SRA...