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標簽：MRAM

強強聯合!華瀾微與Everspin將自旋轉移矩MRAM技術引入新一代企業級SSD

華瀾微電子新型企業級閃存控制器將為Everspin的1 Gb STT-MRAM內存提供原生支持。

據韓國媒體報道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上，開始大規模生產和商業運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器，能夠應用于通用微控制器(MCU)、物聯網、工業、消費類電子...

和RAM一樣快的永久存儲被廣泛認為會使服務器和存儲行業擺脫一年或三年的換代周期，而這個改變如今隨著美國公司Everspin開始提供256Mb磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)樣品更近了一步。 Everspin 稱該產品為轉矩MRAM(ST-M...

近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。 MRAM全稱磁阻隨機訪問內存，已經存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數...

近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內存，已經存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據...

2014年1月2日存儲在線報道：早在 2005 年，物理學教授 Johan kerman 已經提出了磁阻內存（magnetoresistive random access memory，MRAM）是一個具有發展前景的&ldqu...

今天，東芝和海力士（Hynix）宣布一條劃時代的信息：正式在MRAM（Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory，自旋扭矩轉換磁性抵抗型隨機存儲器）技術領域進行合作...

飛思卡爾將MRAM 技術商業化 MRAM利用磁性材料和傳統的硅電路在單個器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性，它的壽命幾乎是沒有限制的。MRAM器件可以用于高速緩沖器、配置內存和其他要求高速、耐用和非易失性的商業應用。作為首家將...

（Magnetic Random Access Memory）是一種非揮發性的磁性隨機存儲器，所謂“非揮發性”是指關掉電源后，仍可以保持記憶完整，功能與FLASH雷同；而 “隨機存取”是指中央處理器讀取...