標簽：OneNAND

三星宣布30nm級工藝8Gb OneNAND閃存

三星電子宣布，已經成功使用30nm級別工藝(30-39nm)制造出了8Gb容量的OneNAND混合式閃存芯片。OneNAND 是一種高可靠性嵌入式存儲技術，在一顆芯片內集成了NAND內核、NOR接口、SRAM緩沖，融合了NAND閃存的高存儲...