鎂光與索尼合力研發出大容量高速存儲器
近日,索尼和鎂光公司宣布其研發小組開發出高速、大容量ReRAM(可變電阻式存儲器),該類型存儲器填補了DRAM與NAND之間的性能鴻溝,有望提高整體系統性能。 新產品的容量為16Gbit,超過了目前的DRAM,而且具備超過NAND閃存的高速...
近日,索尼和鎂光公司宣布其研發小組開發出高速、大容量ReRAM(可變電阻式存儲器),該類型存儲器填補了DRAM與NAND之間的性能鴻溝,有望提高整體系統性能。 新產品的容量為16Gbit,超過了目前的DRAM,而且具備超過NAND閃存的高速...